Ion-cut에 의한 SOI 웨이퍼 제조기술 개발 [2005]
상세정보
| 자료유형 | KIGAM 보고서 |
|---|---|
| 서명 | Ion-cut에 의한 SOI 웨이퍼 제조기술 개발 [2005] |
| 저자 | 우형주 |
| 언어 | KOR |
| 청구기호 | KR-2005-국가-044-2005-R |
| 발행사항 | 과학기술부, 2005 |
| 초록 | : 연구개발결과: (1) 수소이온 주입 및 박리기술 개발: ○ SRIM 전산모사를 이용한 최적 이온주입조건 도출, ○ 대면적(4" 직경) 양성자 주입공정 개발 및 최적 조사량 조사 (6~9x1016 H+/㎠), ○ 웨이퍼 분리를 위한 1차 열처리 공정조건 도출. (2) 표준 SOI 제조기술 개발: ○ 청정실(class 1000) 준비, 웨이퍼 세정(접합) 시스템 구축 및 환경친화적 웨이퍼 세정기술(메가소닉 세정식, 희석식 SC-1 및 SPM 세정기술) 확립, ○ 친수성 웨이퍼 직접접합 및 IR void inspection 공정 개발 (접합공정 신뢰도 >80%), ○ 웨이퍼 절단(450~550℃, 30분) 및 SOI 구조 안정화(1100℃, 60분)를 위한 고온열처리 공정 개발, ○ Prime급 표면조도 형성을 위한 CMP 기술 개발, ○ SOI 웨이퍼 특성조사 (표면조도, SOI층 균일도, 매몰산화막 및 접합계면의 전기적 특성, 화학적 조성 등) 기술 개발. (3) 주문형 SOI 제조기술 개발: ○ SOI 두께 다양화 (100 ㎚~5000 ㎚)를 위한 제반 공정(이온주입 및 splitting 아닐링) 확립, ○ 주문형 SOI 특성분석기술 개발 (전기적, 구조적, 물리화학적 특성 및 mapping 분석), ○ SOI 기술의 경제성 검토, 국내 시장조사 및 산업화 방안 조사 |
| 페이지 | xxi, 137 p. |
| 키워드 | 국가, IONCUT, 웨이퍼, SOI, WAFER, 주입, 수소이온, 박리기술, 이온주입 |
| 원문 | 다운로드 |
유형별 보고서
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- 관리자
- 한국지질자원연구원
- 등록일
- 2006-09-25
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우형주. (2005). Ion-cut에 의한 SOI 웨이퍼 제조기술 개발 [2005]. 과학기술부.
