Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs: Principle and Growth Mechanism
상세정보
| 자료유형 | 해외논문 |
|---|---|
| 저널명 | Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs: Principle and Growth Mechanism |
| 등록번호 | B0503405003 |
| 저자 | Z. R. Zytkiewicz |
| 연도 | 1999 |
| 권/호 | 034/05 |
| 페이지 | 573 ~ 582 |
| 키워드 | GaAs,epitaxial lateral overgrowth,liquid phase epitaxy,LPE,Gibbs-Thomson effect |
| 원문링크 | 원문링크 |
유형별 논문
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- 관리자
- 한국지질자원연구원
- 등록일
- 2023-11-07
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Z. R. Zytkiewicz. (1999). Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs: Principle and Growth Mechanism.
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