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Plasma-enhanced chemical vapor deposition of 99.95% 28Si in form of nano- and polycrystals using silicon tetrafluoride precursor | |||
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등록번호 | B0504509016 | 저널명 | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of 99.95% 28Si in form of nano- and polycrystals using silicon tetrafluoride precursor |
권 | 045 | 호 | 09 |
Page | 983~987 | Year | 2010 |
제목 | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of 99.95% 28Si in form of nano- and polycrystals using silicon tetrafluoride precursor | 저자명 | P. Sennikov, D. Pryakhin, B. Andreev, L. Gavrilenko, Yu. Drozdov, M. Drozdov, H.-J. Pohl and V. Shashkin |
키워드 | PECVD;silicon;isotopes;silicon tetrafluoride | URL | http://doi.org/10.1002/crat.201000088 |
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