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| Observation of individual dislocations in 6H and 4H SiC by means of back-reflection methods of X-ray diffraction topography | |||
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| 등록번호 | B0504212033 | 저널명 | Observation of individual dislocations in 6H and 4H SiC by means of back-reflection methods of X-ray diffraction topography |
| 권 | 042 | 호 | 12 |
| Page | 1359~1363 | Year | 2007 |
| 제목 | Observation of individual dislocations in 6H and 4H SiC by means of back-reflection methods of X-ray diffraction topography | 저자명 | W. Wierzchowski, K. Wieteska, T. Balcer, A. Malinowska, W. Graeff and W. Hofman |
| 키워드 | silicon carbide;X-ray diffraction topography;dislocations | URL | http://doi.org/10.1002/crat.200711032 |
| HTML/PDF | |||